中新网9月3日电 日前，全球移动存储领导厂商朗科公司发布的一款新品闪存盘U217引起了人们的广泛关注。它的连续读写速度达到了32MB/sec、21MB/sec，随机读写速度达到了32MB/sec、12MB/sec，后者更是全球著名品牌同类产品的4倍左右。

　　据悉，2008年闪存盘产品平均读写速度在10MB/sec左右(说明：一般读为12~18,写5~8)，而这一速度通常指的是连续读写大小达100MB以上的单一文件的速度，如果将几十上百个文件存放在一个文件夹中，然后拷贝这一文件夹，其拷贝速度将急剧下降4～5倍，只有1~3MB/sec左右——这就是随机写速度。

　　“朗科U217的最大设计容量为128GB，这对闪存盘来说是一个全新的时代，这个时代对读写速度的要求与以往截然不同。”有业内分析人士表示，它不仅要求闪存盘的连续读写速度要足够快，还要求其随机读写速度也能跟上“扩容”的步伐。

　　朗科U217通过独特的技术手段，成功地将闪存盘随机写速度提高到12 MB/sec，是全球第一款成功跨越百GB容量速度门槛的闪存盘。

　　据悉，朗科三大闪存技术主要通过“闪存芯片的控制加速、双通道倍速和nSpeed提速技术”三种方法来实现速度的显著提升。其中，新的闪存控制技术可以让闪存盘读写速度提高30～40%。而双通道技术则直接将闪存盘的读写技术提高到两倍。

　　尤其值得一提的是nSpeed技术。据朗科技术人员介绍，当前的操作系统都是针对传统硬盘设计的，包含很多优化传统机械硬盘的机制。而这些优化机制对闪存盘是无效甚至有害，从而使闪存盘不能100%地发挥出应有的性能。

　　“朗科nSpeed加速技术正是为优化闪存盘性能而诞生，它在目前的操作系统下，使闪存盘成功突破主机端的限制，将闪存的读写速度垂直飙升。”朗科相关技术人员表示。

　　IT产业总是以一款新产品来标志一个时代的开始，比如P4、winXP，液晶显示器、甚至光电鼠、无线鼠标……，有行业人士表示；“就具备实用价值的百GB容量的闪存盘来说，朗科U217似乎也扮演了类似的角色”。