中新网1月27日电 美国新泽西州普林斯顿大学电机系华裔教授周郁去年发明的“雷射辅助刻塑”，日前被《财富》杂志渥尔夫纳米报告(Wolfe Nanotech Report)评选为2002年度纳米科技最具突破的发明。

　　渥尔夫纳米报告是在访问30位研究纳米科技的专家后才决定获奖人。该报告指出，周郁的发明改良传统耗时的计算机芯片电路刻蚀法，使硅芯片制造产生突破性的发展，周郁得奖可谓实至名归。

　　据美国世界日报报道，“雷射辅助刻塑”是将特制的铸模套在硅晶圆上，投射20亿分之一秒的激光脉冲波，融化后的晶圆依铸模套的形状完成刻塑，刻画的线路直径仅10纳米宽(1纳米为10亿分之一米)，且一片芯片生产的时间仅需10亿分之一秒。

　　周郁公开这项科技时，在科学界引起震撼，因为该技术可将硅芯片上的晶体管密度提高达200倍，并将制造硅芯片的复杂流程简化为一个环节，该项周郁称为“大规模集中线路”的方式，可使未来硅芯片规模将更小、成本更低，并使计算机的速度及内存皆大幅提升。