中新网1月6日电 据台湾《工商时报》报道，DRAM龙头三星电子传出大砍今年芯片资本支出逾半消息，总投资金额将不超过3兆韩元。三星终于愿意跟进缩减产能，业界预估DRAM与NAND复苏之日不远，其中DRAM可望在今年3至4月触底反弹，而NAND也有机会在2至3月间回春。

　　　据报道，三星正考虑将2009年在半导体方面的投资金额减半。三星2008年在半导体的投资金额约6.2兆韩元，至于今年可能降为3兆韩元，缩减幅度逾50%，业者表示，在产能过剩、库存量高、需求锐减，以及内存报价持续走低等压力下，几乎所有内存公司均在去年第四季由盈转亏，即使是龙头三星恐怕也难幸免，逼得三星跟进缩减今年资本支出。

　　　三星过去以市占率为优先，一直不愿意减产，尤其希望这波不景气中，能逼迫1至2家台系DRAM厂退出。只是DRAM报价跌过头，台湾政府将对台湾DRAM厂进行纾困，对三星有吓阻作用，在种种因素加总下，三星终于得向景气低头，此举将加快市场触底反弹的脚步。

　　　业界分析，近来内存产业的减产的确让市场上的供给量大幅减少，以DRAM来说，目前减产幅度约在20%至30%，NAND的减产则在30%至35%，在需求维持稳定下，市场库存水位已明显下降。